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resultado das 18,Sintonize na Transmissão ao Vivo com a Hostess Bonita, Onde a Interação em Tempo Real com Jogos de Loteria Traz Emoção e Expectativa a Cada Sorteio..High Bandwidth Memory (HBM) é uma interface RAM de alto desempenho para SDRAM empilhada em 3D da Samsung, AMD e SK Hynix. Ele foi projetado para ser usado em conjunto com aceleradores gráficos de alto desempenho e dispositivo de rede. O primeiro chip de memória HBM foi produzido pela SK Htynix em 2013.,Em 2011, a JEDEC publicou o padrão Wide I/O 2; ele empilha múltiplas matrizes de memória, mas faz isso diretamente na parte superior da CPU e no mesmo pacote. Este layout de memória oferece maior largura de banda e melhor desempenho de energia do que DDR4 SDRAm e permite uma interface ampla com comprimentos de sinal curtos. Seu objetivo principal é substituir vários padrões DDR''X'' SDRAM móveis usados em dispositivos móveis e incorporados de alto desempenho, como smartphones. Hynix porpôs similar High Bandwidth Memory (HBM), que foi publicado como JEDEC JESD235. Tanto Wide I/O 2 quanto HBM usam uma interface de memória pralela muito ampla, com até 512 bits de largura para Wide I/O 2 (em comparação com 64 bits para DDR4), rodando uma frequência mais baixa do que DDR4. Wide I/O 2 é direcionado a dispositivos compatctos de alto desempenho, como smartphones, onde será integrado aos pacores de processador ou sistema em um chip (SoC). HBM é voltado para memória gráfica e computação em geral, enquanto HMC é voltado para servidores de alta tecnologia e aplicativos corporativos..

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